超大規(guī)模集成電路制造設(shè)備，工藝時間短，生產(chǎn)效率高，具有出色的工藝性能達(dá)到先進(jìn)水平。

控制系統(tǒng)特點

◎ 工藝曲線的自動運行控制功能

◎ 可存儲多組PID參數(shù)供系統(tǒng)運行調(diào)用功能

◎ 系統(tǒng)故障自診功能

◎ 停電后斷點繼續(xù)運行功能等等

◎ 具有自主知識產(chǎn)權(quán)的軟件系統(tǒng),良好的人機界面

◎ 具有多點溫度補償

◎ 具有多種故障報警及各種安全互鎖保護(hù)功能

◎ 裝卸載花籃使用25槽SEMI花籃，進(jìn)出舟工作過程中掉片率、碎片率≤1/10000，遇到阻礙自動停止

支持SECS/GEM通訊

該系統(tǒng)可根據(jù)用戶的特殊要求增減或開發(fā)相應(yīng)的功能

產(chǎn)品優(yōu)勢

◎ 晶片高速搬送系統(tǒng)，實現(xiàn)高吞吐量

◎ 精密的熱場控制，氣體控制系統(tǒng)

◎ 工藝周期短，生產(chǎn)效率高

主要技術(shù)參數(shù)

◎ 晶圓尺寸:8英寸

◎ 工藝管數(shù):1管/臺

◎ 工作溫度范圍:300℃~1200℃

◎ 恒溫區(qū)長度:300~1500mm

◎ 最大載片量：≥120片

◎片盒區(qū)片盒儲存數(shù)量：≥20個

◎ 單點溫度穩(wěn)定性:≤±0.5℃/8h（800-1200℃）

◎ 最大可控升溫速度:15℃/min

◎ 最大降溫速度:5℃/min

◎ 恒溫區(qū)溫度均勻性:≤±0.5℃（800-1200℃）

◎金屬離子污染：≤5E10 atoms/cm2（Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu）

◎傳送顆粒污染：≤20EA（≥0.3μm）

◎片盒區(qū)顆粒污染：≤20EA（≥0.3μm）

晶圓工藝指標(biāo)

干氧厚度均勻性：

◎片內(nèi)均勻性：≤±1.5%

◎片間均勻性：≤±1.5%

◎批間均勻性：≤±1.5%

濕氧厚度均勻性：

◎片內(nèi)均勻性：≤±1.5%

◎片間均勻性：≤±1.5%

◎批間均勻性：≤±1.5%

可為用戶量身定制非標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品