LPCVD用于淀積Poly-Si、SIPOS、SiO2(LTOTEOS)、P*Poly-Si、N*Poly-Si、SiN(LSSiN)、PSG、BSG、BPSG等多種薄膜。廣泛應用于半導體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業的生產工藝中。

設備主要特點

◎ 采用先進的閉環控制系統，壓力穩定無波動

◎ 高精度溫控系統

◎ 工藝薄膜均勻性優異

◎ 支持SECS/GEM通訊

◎ 溫度控制方式：支持spike，cascade和比例控溫三種控溫模式，自動拉溫區

◎ 熱偶：每管配置profile熱偶≥ 1個，材質為R 型Φ0.50mm 熱偶；spike熱偶≥4個（含報警熱偶），材質為R 型雙芯Φ0.50mm 熱偶

◎ 升溫速率≥10 ℃/min（@ RT升800℃），5min穩定在1℃以內（@ 400升1150℃,升溫速度設為5℃/min）；降溫速率≥4 ℃/min（@1150℃降400℃）

◎ 氣路系統氣密性：1×10^-10pa.m³/s，氣體管道為316 EP級；每一路配置截止閥、調壓閥、單向閥、過濾器

◎ MFC控制精度：MFC精度≤±0.25% FS @ flow range 2%-25%，≤±1% SP @ flow range 25%-100%

主要技術指標

◎ 適用硅片尺寸:4~6"

◎ 工作壓力范圍:100~400mtorr可調

◎ 系統極限真空度: 5mtorr

◎ 工作溫度范圍:400℃~1150℃

◎ 單點控溫精度：≤±0.3℃（400~1150℃）

◎ 恒溫長度:300-1100mm(可定制)

◎溫度穩定性:≤±0.5℃/24h（600℃）

◎恒溫區溫度均勻性:≤±0.5℃@1150℃

◎金屬離子污染：≤5E10 atoms/cm²（Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu）

◎傳送顆粒污染：≤10EA（≥0.3μm）

◎工藝顆粒污染：≤30EA（≥0.3μm）

工藝類型

◎ Poly

◎ D-Poly(P+/N+)

◎ TEOS

◎SIPOS

◎BPSG

◎ SiO2 (LTO TEOS )

◎ Si3N4

工藝均勻性

◎Si3N4、Poly、TEOS

片內≤±2% 片間≤±2% 批次間≤±2%

◎BSG、PSG、BPSG

片內≤±3% 片間≤±3% 批次間≤±3%

◎ D-Poly

片內≤±4% 片間≤±4% 批次間≤±4%

◎低應力Si3N4

片內≤±4% 片間≤±3% 批次間≤±3%

工藝其他指標

TEOS：折射率：1.45±0.1，沉積速率：40～70?/min；階梯覆蓋能力：Aspect Ratio=5:1

Poly：常規Poly方塊電阻（@6000A方阻）950℃退火后10-14Ω/□，沉積速率20～35?/min

D-Poly：（500nm）的方塊電阻25±2Ω/□

Si3N4：應力：950±50MPa，折射率：2.00 ±0.02，沉積速率14～25?/min

低應力Si3N4：應力：250±50MPa，折射率：2.32 ±0.05，沉積速率14～25?/min

工藝氣路配置

◎TEOS管：包含但不限于N2 ，O2，吹掃N2 ，TEOS；并配置TEOS系統1套（包括TEOS源供液系統以及源柜）

◎Poly管：包含但不限于N2 , SiH4,  PH3

◎Si3N4管：包含但不限于N2，NH3，SiH2Cl2

◎BPSG管：包含但不限于N2，O2，吹掃N2，B源，P源

◎SIPOS管：包含但不限于N2，SiH4，N2O，HCI

◎LTO管：包含但不限于N2 ，O2，SiH4